三星目标 2028 年推出 LPW DRAM，为端侧 AI 优化
发布时间：2025-02-19 11:22:14来源：
三星目标 2028 年推出 LPW DRAM，为端侧 AI 优化
据韩媒 SEDaily 现场采访报道，三星电子 DS 部门首席技术官 Song Jai-hyuk 于美国加州旧金山当地时间 2 月 17 日，在 IEEE ISSCC 2025 国际固态电路会议全体会议上表示，首款针对设备端 AI 应用优化的 LPW DRAM 内存产品将于 2028 年发布。
LPW 是 LPDDR Wide-IO 的简称，是一种类似 LPDDR 但具有更高 I/O 位宽的移动端内存产品。它在引入更多 I/O 通道的同时降低每个通道的数据传输速率，以实现高带宽低功耗的目标。三星电子宣称，LPW DRAM 的带宽可达 200GB/s 以上，较现有的 LPDDR5x 提升 166%；同时其功耗降至 1.9 pJ /bit，比 LPDDR5x 低 54%。
此外，LPW DRAM 在结构上改变了多层 DRAM 堆栈的组合方式，将采用结合 RDL（重布线层）的垂直引线键合取代目前的传统引线键合，实现更小的封装尺寸和更优秀的能效表现。这一内存产品也被称为低延迟宽 I/O（LLW），被视为 “移动 HBM” 内存，专为高性能和低功耗而优化。三星希望凭借这款面向设备端 AI 的下一代 LPW DRAM，在移动内存市场占据领先地位。
随着 AI 技术在移动端的应用日益广泛，对内存性能的要求也愈发严苛。LPW DRAM 的出现，有望为设备端 AI 应用提供更强大的支持，推动诸如智能语音助手、图像识别、AR/VR 等应用实现更流畅、高效的运行，为用户带来更出色的体验。 三星此次公布的计划，彰显了其在内存技术领域持续创新的决心，也预示着未来移动端 AI 设备性能将迎来重大突破。
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